超结中国专利技术综述

超结结构突破了传统功率MOS器件的理论极限,被誉为功率MOS器件的里程碑器件。本文对超结领域中国的相关专利技术进行分析,从申请趋势、主要申请人、法律状态、技术效果等多个角度进行深入挖掘,梳理超结技术的现状及发展趋势。