基于磁性斯格明子的下一代存储器研究获新突破

新加坡科技研究局和新加坡南洋理工大学的研究人员近日在基于磁性斯格明子的下一代存储器研究领域获得重大突破，采用与现有工业方法相兼容的工艺，成功制备出可在室温下调节磁性斯格明子尺寸和密度的新型铁磁体薄膜材料。