美研究人员发现新型超薄二维半导体材料有望代替硅应用于下一代电子产品

近日，斯坦福大学的研究人员发现金属铪和锆的联硒化物二维材料HfSe2和ZrSe2具有可与硅材料相媲美甚至更优越的半导体特性，有望代替硅材料应用于未来半导体器件中。该研究已在《科学进展》杂志发表。研究人员利用新材料制造出了能耗低于硅基电路、仅3个原子厚的功能电路。虽然目前仍处在实验室研究阶段，但却是向实现可满足未来电子器件需求的更薄、更节能芯片制造的关键一步。