基于石墨烯墙的异质结光电探测器

由于石墨烯的高透光率和硅的高光吸收率，基于石墨烯．硅结构的肖特基异质结在高性能光电探测器方面具有很好的应用前景。然而，现有的制造工艺采用转移石墨烯作为电极，容易因金属催化剂而产生污染，并且由于生长过程中的金属颗粒和聚合物残留物的转移，硅和石墨烯之间的界面通常不理想，硅表面的高反射率常使得有效吸收率远低于所需。