高纯SiC颗粒的粗化机理

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摘要在2150℃初始热处理期间,由于β-α相转换形成了α-SiC颗粒并快速生长。人工合成了尺寸为280μm的均匀的粗化α-SiC粉末。粗化过程不取决于初始颗粒尺寸,颗粒尺寸生长可由添加的碳和α-SiC种子控制。由于碳含量和α-SiC种子含量增加,颗粒尺寸降低。研究了高纯SiC颗粒的粗化机理。

作者张世国

出处《耐火与石灰》 2017年第5期49-52,共4页 Refractories & Lime

关键词高纯SiC 粗化传输转换颗粒粉末

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耐火与石灰

2017年第5期

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