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基于氮化镓芯片的C波段T/R组件的实现

Realization of A C-band T/R Module Based on GaN MMICs
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摘要 本文介绍了一种C波段前端T/R组件的电路原理设计和实现。氮化镓功率放大器件的应用有效提高了组件效率,减小组件的体积,具有更高的热稳定性;微带传输线的应用进一步减小组件的体积,并获取较高的隔离度和方向性。 In this paper, the design and realization of a C-band front-end T/R module are introduced. The application of Ga N power amplifier can effectively improve the efficiency of module, reduce the volume, and achieve higher thermal stability. Microstrip line is used to reduce the volume of the T/R module, high isolation and directivity are achieved.
出处 《现代信息科技》 2017年第1期34-36,共3页 Modern Information Technology
关键词 氮化镓 微带线 效率 热仿真 GaN microstrip efficiency heat sink
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参考文献2

二级参考文献3

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共引文献8

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