SRAM失效分析被引量：1

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摘要 1引言目前．能探洲极窄线宽的纳米探针技术取得了许多进展，从而能表征集成电路内单个器件的电气特性。这篇文章将介绍如何用B1500A半导体器件分析仪进行这类测量，我们通过SRAM失效分析说明这项技术，

作者谢凯翔

机构地区是德科技

出处《中国集成电路》 2017年第10期70-73,共4页 China lntegrated Circuit

关键词失效分析 SRAM 半导体器件分析仪探针技术电气特性集成电路窄线宽

同被引文献7

1王德权.浅析电子元器件的失效分析技术[J].科技与企业,2013(7):308-308. 被引量：8
2王自力.分析电子元器件质量及其可靠性管理[J].通讯世界,2016,22(11):216-217. 被引量：9
3马香柏.CMOS电路中的漏电失效分析[J].集成电路应用,2017,34(4):53-57. 被引量：1
4席善斌,裴选,刘玮,高兆丰,彭浩,黄杰.多模计数器静电放电损伤的失效分析[J].半导体技术,2017,42(10):784-789. 被引量：2
5王媛,白璐,詹勇,张盼盼.某A/D转换器老化过程中端口异常失效分析[J].环境技术,2017,35(4):39-43. 被引量：1
6王创国,贾洁,周舟,沈宏昌,贾东铭,林罡.EMMI故障定位和基于故障树的GaAs MMIC失效分析[J].固体电子学研究与进展,2017,37(5):333-338. 被引量：4
7孙家坤.军用集成电路失效分析[J].电子测试,2017,28(3X):46-47. 被引量：3

中国集成电路

2017年第10期

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