SRAM失效分析被引量：2

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摘要 1引言目前．能探洲极窄线宽的纳米探针技术取得了许多进展，从而能表征集成电路内单个器件的电气特性。这篇文章将介绍如何用B1500A半导体器件分析仪进行这类测量，我们通过SRAM失效分析说明这项技术，

作者谢凯翔

机构地区是德科技

出处《中国集成电路》 2017年第10期70-73,共4页 China lntegrated Circuit

关键词失效分析 SRAM 半导体器件分析仪探针技术电气特性集成电路窄线宽

分类号 TN307 [电子电信—物理电子学]

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中国集成电路

2017年第10期

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