W掺杂对磁控溅射VO_2薄膜结构和光学性能的影响

为提高VO_2薄膜的性能尤其是降低其相变温度,文章采用射频磁控溅射法在VO_2薄膜中掺杂不同浓度的金属W。利用X射线光电子能谱仪、扫描电子显微镜、X射线衍射仪、UV-3600分光光度计和相变测试系统对样品进行了表征。结果表明:掺杂W能够有效地降低VO_2薄膜相变温度,但同时也降低了光的透过率。