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二维MoSe_2、MoS_2纳米片在一维纳米线上的边缘外延生长
Edge Epitaxy of Two-Dimensional MoSe_2 and MoS_2 Nanosheets on One-Dimensional Nanowires
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职称材料
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摘要
近年来,构建以二维材料为基础的异质结由于其在光电子器件、热电子器件以及催化等领域的潜在应用,受到研究者的广泛关注。
作者
王训
机构地区
清华大学化学系
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2017年第12期2317-2318,共2页
Acta Physico-Chimica Sinica
关键词
二维材料
一维纳米线
外延生长
MOS2
纳米片
光电子器件
异质结
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
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物理化学学报
2017年 第12期
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