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一种GaN双管芯宽带功率放大器的设计 被引量:1

Design of Band Power Amplifier Based on Double GaN Broadband HEMT
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摘要 针对超宽带(1~5 GHz)20 W功率放大器的设计要求,使用了一种可行的实现方法,即采用小信号S参数法对两个Triquint公司的TGF2023-02管芯进行宽带匹配电路设计,并制作了一款宽带功率放大器。测试结果表明,带内增益>10 dB,饱和功率输出20 W,测试数据与仿真结果吻合,验证了此方法的有效性。 Concerning the design goal of a wideband power amplifier working across 1 -5 GHz,this paper pro-poses an available design metliodology : To select tlie optimal input and output impedance base on rameter ,and realize broadband matching. Based on the methodology,using twoGaN HEMTTriquint,simulation is performed and produced. The measurement results indicate that within 1 ?5 GHz,DeliveredPower is higher than 20W and the small signal gain is higher than 10 dB. Hence,the method
出处 《电子科技》 2017年第12期9-10,16,共3页 Electronic Science and Technology
基金 国家自然科学基金(61306133)
关键词 TGF202 宽带匹配 功放 小信号 双管芯 TGF2023 wideband matching power amplifier small signal two GaN core
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参考文献8

二级参考文献46

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