第三代半导体:“虚拟生长”引发充电革命

＂要长出高质量的碳化硅（SiC）,我们需要对生产工艺进行设计、调试和优化。＂晶体材料国家重点实验室教授陈秀芳带领的课题组有一项重要任务——通过物理气相沉积法生长出高质量、大尺寸的SiC单晶材料。＂但实际的生长耗时、耗料,可能也不稳定,通过计算机模拟‘虚拟生长’过程,可提前获知温度、生长速率等信息,＂陈秀芳说。这个方法就像＂战争推演系统＂和实打实地实战一样奏效。