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Intel正式推出10纳米最高密度制程

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摘要 9月19日,英特尔执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith在北京手捧10nm工艺Wafer宣布,英特尔正式推出最新的10nm工艺制程。英特尔10纳米工艺采用第三代FinFET技术,相比其他所谓的"10纳米",英特尔10纳米预计将会领先整整一代。
出处 《半导体信息》 2017年第5期21-22,共2页 Semiconductor Information
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