摘要
据科技部网站2017年11月13日报道,俄罗斯托木斯克理工大学表示,该校与德国、委内瑞拉的科学家最近证实了二维半导体硒化镓在空气中的易损性,此重要发现有助于制造硒化镓基超导纳米电子产品.研究团队通过光组合散射光谱法和XPS方法研究了硒化镓,确定镓和氧之间存在化学键,硒化镓一接触空气就会迅速被氧化,从而失去生产纳米电子设备所必需的导电性能.进一步研究硒化镓氧化敏感性,可以研究出保护和保存硒化镓光电性能的解决方案.
出处
《航天器工程》
CSCD
北大核心
2017年第6期175-175,共1页
Spacecraft Engineering
