韩国研究团队成功研发超高速运转磁性存储器核心技术

韩国科学技术院和高丽大学联合研发团队成功研绿出下一代超高速磁畴壁存储器核心技术。此前开展磁畴壁存储器研究多采用“强磁体”物质，“强磁体”物质内部产生的磁化朝同一方向排列，不可避免Walkerbreakdown现象（磁性物质本身带有的角运动），这是造成运转速度低的重要原因。