不含磁性元素的磁半导体

日本理化学研究所川崎雅司研究团队开发成功不含磁性元素却具有磁性的半导体。具体制法是在ZnO晶体中引入原子尺寸的缺陷,当这种晶体冷却到-173℃,再外加1T磁场,这时晶体中的电子就朝磁场方向排列,从而呈现异常的霍尔效应。出现这种效应意味着可以制出保持数据记忆、不消耗电力而且不挥发的磁存储器。由于这种电子运动速度比磁性元素半导体快,有可能用于快速运算。