期刊文献+

亚微米BiCMOS[B]芯片与制程剖面结构 被引量:1

Structure of Submicron BiCMOS[B] Chip and Process
下载PDF
导出
摘要 亚微米BiCMOS[B]技术能够实现双极型与CMOS元器件兼容的工艺。为了便于集成,采用双极型制程为基础,引入CMOS元器件工艺,在同一硅衬底上实现兼容的BiCMOS[B]工艺。这是采用亚微米Bi CMOS[B]集成电路芯片结构设计、工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。 Submicron Bi CMOS[B] technology can realize bipolar and CMOS components compatible process. In order to facilitate the integration, the CMOS process is introduced based on the bipolar process, and the compatible Bi CMOS[B] process is implemented on the same silicon substrate. This is a sub micron Bi CMOS[B] integrated circuit chip structure design, process and manufacturing technology, according to the technology to obtain the chip process structure.
作者 潘桂忠 PAN Guizhong(Shanghai Belling Co., Ltd, Shanghai 200233, China;The 771 electronics technique institute of China Aerospace Science and Technology Research Academy, Shaanxi 710600, China)
出处 《集成电路应用》 2017年第12期42-46,共5页 Application of IC
基金 上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2009.090027)
关键词 集成电路制造 工艺 亚微米BiCMOS[B] 剖面结构 integrated circuit manufacturing, process, submicron BiCMOS[B], profile structure
  • 相关文献

参考文献4

二级参考文献5

共引文献18

同被引文献2

引证文献1

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部