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我国碳化硅等第三代半导体材料制造设备取得新突破
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摘要
10月24日从科技部获悉，近日，863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。
出处
《磨料磨具通讯》
2017年第11期27-27,共1页
关键词
第三代半导体材料
制造设备
碳化硅
先进制造技术
SIC材料
863计划
科技部
大尺寸
分类号
TN364.2 [电子电信—物理电子学]
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磨料磨具通讯
2017年 第11期
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