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我国新型钪锑碲相变存储材料研究获重要突破

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摘要 中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究人员在新型相变存储材料研究方面取得重大突破,创新性地提出了一种高速相变材料的设计思路,即以减小非晶相变薄膜内成核的随机性来实现相变材料的高速晶化,通过第一性理论计算与分子动力学模拟,从众多过渡族元素中优选出钪(Sc)作为掺杂元素,设计发明了低功耗、长寿命、
作者 任霄鹏
出处 《军民两用技术与产品》 2017年第23期25-25,共1页 Dual Use Technologies & Products
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