基于平面超透镜的SP纳米光刻技术研究

光刻技术是半导体集成电路加工的核心技术。随着科技的不断快速发展,半导体器件尺寸越来越小,集成度越来越高,这就对光刻分辨力提出了更高的要求。按照国际半导体工业协会发布的技术蓝图,2016年光刻分辨力将推向14nm技术节点。传统投影光刻技术(i线、g线、248nm、193nm等等)由于受到衍射极限限制,分辨力突破20nm已经十分困难,因此研究基于新原理新方法的纳米光刻技术是近年来学界的研究热点。SP纳米光刻技术由于可以突破衍射极限,并且成本低、效率高、适合大面积制作,并且与传统光学光刻技术工艺有很高的契合度,是十分看好的一种纳米光刻技术。