碳化硅材料特性及其应用浅析

以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，被称为第3代半导体材料。与第1代、第2代半导体材料相比较，SiC具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。