真实忆阻器数学建模以及电学仿真

忆阻器作为新一代的记忆设备,相比于传统的COMS具有低功耗,不挥发性,高集成密度等优良特性。本文提出了一种基于具体物理实验数据的忆阻器数学模型,实现了模拟过程能够最为接近真实忆阻基本特性。我们的模型符合忆阻器的随频率变化的三个基本特性,且具有浮点计算,双通道等优良的特征。分析比较了本文建立忆阻器和传统忆阻器的性能差异,并相对于数学模型给出仿真,仿真结果说明了此类忆阻器建立更适应于真实突触的仿真,可以有效的应用基于忆阻器的神经网络。