期刊文献+

基于CdSeTe/ZnS量子点荧光探针测定痕量As^(3+) 被引量:1

A new fluorescence probe for detection of As^(3+) ions based on glutathione-capped CdSeTe/ZnS quantum dots
原文传递
导出
摘要 水相合成高荧光量子产率的谷胱甘肽(GSH)包覆CdSeTe/ZnS量子点,并通过紫外光谱(UV)、荧光光谱(PL)、透射电镜(TEM)和电子衍射(XRD)等手段对其光学特性和结构进行表征。基于CdSeTe/ZnS量子点表面GSH对As^(3+)的特异性结合而导致量子点荧光猝灭作用,构建了基于CdSeTe/ZnS量子点作为荧光探针检测痕量As^(3+)的新方法。探究了As^(3+)对CdSeTe/ZnS量子点荧光猝灭的机理,As^(3+)在5.0~100.0μg/L浓度范围内,CdSeTe/ZnS量子点的荧光强度F_0/F与As^(3+)浓度之间呈良好的线性关系,线性相关系数为0.9984,检测限为1.0μg/L。该量子点荧光分析方法可用于实际水样中As^(3+)的检测。 Water-soluble CdSeTe/ZnS quantum dots (QDs) were synthesized with glutathione (GSH) as stabilizer. Their optical features and structure have been characterized by UV-Visible spectroscopy, photoluminescence (PL) spectroscopy, transmission electron microscopy (TEM) and X-ray diffraction (XRD) in detail. The as-prepared CdSeTe/ZnS QDs were directly used as a recognition probe for the detection of As^3+ because of the strong interactions between As^3+ and the GSH molecule of CdSeTe/ ZnS QDs. Under optimal conditions, the quenched fluorescence intensity (Fo/F) increased linearly with the concentration of As^3+ ranging from 5.0 to 100 μg/L. The limit of detection (3σ) for As^3+ was found to be 1 μg/L. The practical application had been carried out for determination of As^3+ in real water samples.
出处 《分析试验室》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期12-16,共5页 Chinese Journal of Analysis Laboratory
基金 国家自然科学基金(21565010 81260639) 国家留学基金(201508525019) 国家民委科研项目(14GZZ003) 贵州省教育厅自然科学研究项目([2015]351) 贵州省科学技术厅-贵州民族大学科技联合基金(LKM[2011]13)资助
关键词 CdSeTe/ZnS 量子点 As^3+ 荧光探针 CdSeTe/ZnS Quantum dots Arsenic ion Probe
  • 相关文献

参考文献3

二级参考文献35

  • 1Li J, Hong X, Li D, Zhao K, Wang L, Wang H, Du Z, Li J, Bai Y, Li T. Chem. Commun. , 2004, 4(15) : 1740-1741.
  • 2Hong X, Li J, Wang M, Xu J, Guo W, Li J, Bai Y, Li T. Chem. Mater. , 2004, 16(21) : 4022-4027.
  • 3Peng X G, Manna L, Yang W D, Wickham J, Scher E, Kadavanich A, Alivisatos A P. Nature, 2000, 404 ( 6773 ) : 59-61.
  • 4Yu W W, Qu L H, Guo W Z, Peng X G. Chem. Mater. , 2003, 16(3) : 2854-2860.
  • 5Liu W ~, Lee J S, Talapin D V. J. Am. Chem. Soc. , 2013, 135(4) : 1349-1357.
  • 6Liu Z P, Kumhhar A, Xu D, Zhang J, Sun Z Y, Fang J Y. Attgew. Chem. Int. Ed. , 2008, 47(19) : 3540-3542.
  • 7Talapin D V, Rogach A L, Shevchenko E V, Komowski A, Haase M, Weller H. J. Am. Chem. Soc. , 2002, 124(20) : 5782-5790.
  • 8Ellingson R J, Beard M C, Johnson J C, Yu P R, Micic O I, Nozik A J, Shabaev A, Efros A L. Nano Lett. , 2005, 5(5) : 865-871.
  • 9Derfus A M, Chan W C W, Bhatia S N. Nano Lett. , 2004, 4(1) : 11-18.
  • 10Feng Y L, Liu Y F, Su C, Ji X H, He Z K. Sens. Actuators B, 2014, 203:795-801.

共引文献40

同被引文献6

引证文献1

二级引证文献7

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部