摘要
三星电子近日宣布,已开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯片。三星称,公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8GBDDR4芯片,实现了新的突破。2016年2月,三星已使用第一代10纳米级工艺生产出了8GBDDR4芯片。据悉,三星开发的8GB DDR4芯片是“全球最小”的DRAM芯片,扩大了领先对手的优势。在半导体业务的推动下,三星今年的营业利润有望创下纪录。三星称,和第一代10纳米级工艺相比,第二代工艺的产能提高30%,有助于公司满足全球客户不断飙升的DRAM芯片需求。而且,第二代10纳米级芯片要比第一代芯片陕10%,功耗降低15%。
出处
《微型计算机》
2018年第1期51-51,共1页
MicroComputer