摘要
由于需要对半导体器件进行安全快捷以及无损伤的切割,因此产生了辐射电离效应的激光模拟方法,这种方法已经得到了国际上的认可。并且跟大型地面辐射模拟装置相比,激光模式方法具有很多优势,可作为重要的补充手段来展开针对性的抗辐射加固设计来对半导体器件辐射效应进行深入研究,在理论和应用方面都具有重要的意义。本文主要就γ射线、激光和半导体器件之间互相作用产生的电离效应做简要分析,结合国内外发展情况进行了总结,根据当前研究存在的问题展开探讨,以及对未来进行的展望。
出处
《电子技术与软件工程》
2018年第4期67-67,共1页
ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING