基于硅微通道板宏孔硅腐蚀速率的影响因素研究

本文报道了硅电化学腐蚀过程中宏孔硅腐蚀速率的影响因素研究。通过改变HF溶液浓度、表面活性剂类型、腐蚀电压三个方面进行光电化学腐蚀实验。通过电子显微镜和金相显微镜观测宏孔硅,并通过软件VNT Quantlab-HD对腐蚀深度进行测量,计算宏孔硅腐蚀速率。研究HF溶液浓度、表面活性剂类型、腐蚀电压对宏孔硅腐蚀速率影响。