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晶硅太阳能单晶电池EL缺陷分析研究
被引量:
1
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摘要
重点分析研究晶硅太阳能单晶太阳电池EL常见缺陷原因,电池片EL常见缺陷主要分为原材料类导致的缺陷及过程引入缺陷类。通过对常见的EL缺陷分析研究及有利于改善电池片的产品质量,提升电池片成品的良率,还可进一步降低生产成本。
作者
代同光
贾光亮
贾永军
郭永刚
王举亮
郭超平
机构地区
国家电投集团西安太阳能电力有限公司
出处
《电子世界》
2018年第3期144-145,共2页
Electronics World
关键词
晶硅太阳能单晶电池
EL缺陷
过程缺陷
材料缺陷
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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