中科院微电子所阻变存储器集成应用研究获进展

中国科学院做电子研究所的研究人员在1Mb 28nm嵌入式阻变仔储器（RRAM）测试芯片，以及8层堆叠的高密度三维阻变存储器阵列研究方面取得了新的进展。研究人员联合中芯国际集成电路制造有限公司、北京智芯微电子科技有限公司等单位，以产学研合作方式共同推进RRAM的实用化发展。