Vishay新款25VN沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度

日前，Wishay Intertechnology,Inc．宣布，推出新的25VN沟道TrenchFET Gen IV功率MOSFET-SiRA20DP，这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低，仅有0．58mn。Vishay Siliconix SiRA20DP具有最低的栅极电荷。