固态微波电子学的新进展(续)

New Progress of Solid-State Microwave Electronics ( Continued)

3 GaN HEMT GaN HEMT具有宽禁带半导体材料的高击穿电压、高电子饱和速率和高导热率等特点,已实现1,0.5,0.25,0.2和0.15μm及100,60,45和20 nm栅长的GaN HEMT工艺,广泛应用于UHF,L,S,C,X和Ku等微波频段以及Ka,E和W等毫米波频段的高线性、高功率、高功率密度和宽带的功率放大器、抗功率冲击和宽带低噪声放大器、高功率开关、腔体振荡器和移相器等,是当前固态微波电子学研究的热点。