中科院半导体所等在拓扑激子绝缘体相研究中取得进展

上世纪60年代，诺贝尔奖获得者Mott提出激子绝缘相，Mott提出考虑库仑屏蔽效应，在半金属体系中电子一空穴配对而形成激子，可能会导致体系失稳，从而在半金属费米面处打开能隙，形成激子绝缘体状态。但迄今为止，实验上观测激子绝缘体相是一个尚未完全解决的关键科学问题。激子绝缘体相存在及其玻色一爱因斯坦凝聚的确凿证据并不充分，主要是由于激子的寿命较短，带来观测上的困难。