GaAs一维纳米结构生长控制及表面改性方面的研究进展

在低维半导体材料研究中,GaAs半导体纳米线基于其直接带隙和电子迁移率高的特点,新一代半导体光电子和光子器件使得GaAs纳米线材料在太阳能电池、探测器、激光器以及高频器件等领域有着广泛的应用前景。GaAs纳米线材料走向实际应用,需要实现对材料形貌的精确可控。本文中针对生长过程中衬底,生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比对材料的影响进行了研究。对目前研究中,GaAs纳米线的表面改性处理进行了整理。