华虹半导体第二代90nm嵌入式闪存工艺平台成功量产

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摘要华虹半导体日前宣布其第二代90nm嵌入式闪存（90nmG2eFlash）工艺平台已成功实现量产，技术实力和竞争力再度加强。华虹半导体在第一代90nm嵌入式闪存（90nmG1eFlash）工艺技术积累的基础上，90nmG2eFlash工艺平台实现了多方面的技术提升。90nmG2微缩了Flash的元胞尺寸，较第一代减小约25％.

出处《中国集成电路》 2018年第1期1-1,共1页 China lntegrated Circuit

关键词嵌入式闪存半导体第二代工艺平台 FLASH 第一代竞争力

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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