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三星开发出全球最小DRAM内存芯片速度提升10%
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摘要
三星电子日前宣布,公司已开始通过第二代10nm级工艺量产DRAM内存芯片。三星称,公司使用第二代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片,实现了新的突破。2016年2月,三星已使用第一代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片。
出处
《中国集成电路》
2018年第1期5-6,共2页
China lntegrated Circuit
关键词
三星电子
芯片速度
DRAM
内存芯片
开发
第二代
工艺
M级
分类号
TP368.3 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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中国集成电路
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