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联华电子推出40nmSST嵌入式闪存工艺东芝的MCU将采用
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摘要
联华电子日前宣布,该公司推出40nm结合Silieon Storage Technology(SST)嵌入式SuperFlash非挥发性内存的工艺平台。新推出的40nmSST嵌入式快闪工艺,较量产的55nm单元尺寸减少20%以上,并使整体内存面积缩小了20—30%。东芝电子组件&存储产品公司已开始评估其微处理器(MCU)芯片于联华电子40ntoSST技术平台的适用性。
出处
《中国集成电路》
2018年第1期11-11,共1页
China lntegrated Circuit
关键词
嵌入式闪存
电子组件
工艺
东芝
MCU
STORAGE
技术平台
非挥发性
分类号
TN605 [电子电信—电路与系统]
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