我国新型存储器材料研发取得重大突破

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摘要中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队近期在国产新型存储器材料上取得重大突破,创新提出一种高速相变材料的设计思路,打破了国外技术壁垒。该成果近日在线发表于《科学》杂志。存储器是集成电路最重要的技术之一,能否开发自主知识产权的存储器芯片事关国家信息安全。目前,国际上通用的存储器材料是＂锗锑碲＂。近年来,消费电子产品的普及对存储器芯片的功耗、寿命、尺寸、

出处《半导体信息》 2017年第6期18-19,共2页 Semiconductor Information

关键词存储器芯片相变材料研发《科学》杂志国家信息安全自主知识产权消费电子产品信息技术

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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