摘要
来自瑞典林雪平大学和加利福尼亚大学伯克利分校的研究者人员使用原子分辨扫描透射电子显微镜观察到了原子沿着线性缺陷在薄膜层之间的迁移。被称为位错.管扩散的现象早己在理论上被理解,但从未被直接观察到。研究人员在将由5nm厚的氮化铪(金属)和氮化钪(半导体)交替层组成的样品加热到950℃时发现了这一现象,并见证了铪扩散到下层。该团队重复这个循环,每次测量单个原子的运动,并确认测量值与先前使用间接方法和理论模型获得的值相匹配。
出处
《现代材料动态》
2018年第2期8-9,共2页
Information of Advanced Materials