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氮化硅反应溅射源的设计及其薄膜工艺实现

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摘要 本文介绍了一种光盘用氮化硅薄膜溅射源,旋转磁场加入到静磁场中以调节靶表面空间的磁场分布,降低了氮化硅在靶表面的沉积,同时提高了靶材的利用率。配合脉冲直流电源,有效地避免了阳极丢失和电弧放电现象。
作者 刘涛
出处 《记录媒体技术》 2008年第6期43-45,共3页 China Mediatech
  • 相关文献

参考文献3

  • 1D.C.Carter,W.D.Sproul,D.J.Christie.Effective control for reactive sputtering processes[].Vacuum & Coating Technology.2006
  • 2Richard.A.Power supplies for pulsed plasma technologies,State-of-the- art and outlook[]..
  • 3Richard.A,Abe.Belkind,Z.Zhao.Redundant anode sputtering[]..

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