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上海交大提出自组装单分子膜掺杂技术新方向
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摘要
上海交通大学密西根学院但亚平课题组研究发现,自组装单分子膜掺杂会在硅衬底引入碳缺陷,从而降低硅中磷杂质的电学激活率。研究人员由此提出了自组装单分子膜掺杂技术的研究方向,为发展无缺陷态的单分子膜掺杂技术奠定了基础。相关成果日前发表于《自然一通讯》杂志。
作者
新型
出处
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期276-276,共1页
New Chemical Materials
关键词
自组装单分子膜
掺杂技术
上海交大
上海交通大学
研究人员
缺陷态
课题组
硅衬底
分类号
O649 [理学—物理化学]
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