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速度和效率均有提高的LCD

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摘要 日本SharP公司和SemiconductorEnergyLabora-tory公司联合开发出了一种连续晶粒硅(CGS)LCD。由于采用了一种在基座上形成LSI的新型团相位增长技术,因此CGS可在功能和性能上与单晶硅相竞争。这项技术使电子穿过半导体的速度比采用非晶硅TFT时快约600倍,比采用普通低温多晶硅TFT要快的4倍。这一技术上的改进可使全数学电路进人LCD面板,应用于超小型、高清晰度的投影型LCD和大屏幕高清晰度LCD中。通过采用同样的方法,可在玻璃基座上建立高速、高密度LSI,实现在板系统设计。该公司通过采用这些技术,开发了一种高清晰度、与TV兼容的2.
作者 彭海英
出处 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 1998年第12期70-70,共页 Computer Engineering
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