Littelfuse新推经过扩展的SiC肖特基二极管系列可降低开关损耗提高效率和耐用性

原文传递

导出

摘要 Littelfuse，Inc．新推出了四个隶属于其第2代产品家族的1200V碳化硅（SIC）肖特基二极管系列产品，该产品家族最初于2017年5月发布。

出处《半导体信息》 2018年第1期15-16,共2页 Semiconductor Information

关键词肖特基低开关损耗管系耐用性 SiC 产品碳化硅 INC

1安森美半导体推出最新650V碳化硅二极管系列产品[J].电源世界,2018,0(2):19-19.
2秦海鸿,朱梓悦,戴卫力,徐克峰,付大丰,王丹.寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响[J].南京航空航天大学学报,2017,49(4):531-539. 被引量：13
3贺天鹏,聂思敏,李学林,郑泽鸿.基于ZVS技术的感应加热电源的设计[J].电子世界,2018,0(7):199-200. 被引量：2
4江兴.具有双面冷却功能的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管[J].半导体信息,2009,0(2):10-11.
5汤益丹,李诚瞻,史晶晶,白云,董升旭,彭朝阳,王弋宇,刘新宇.1200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制[J].半导体技术,2018,43(4):266-273. 被引量：1
6田欢,陈骞,蔡壮.肖特基势垒金属化研究分析[J].科学技术创新,2017(31):8-9.
7张立威,张航,盛妹青,吴国平.38000DWT化学品船主甲板管路设计[J].沪东中华技术情报,2018,0(1):9-12.
8薛爱杰,黄润华,柏松,刘奥,栗锐.6500 V 15 A 4H-SiC JBS二极管的研制[J].微纳电子技术,2018,55(3):161-165. 被引量：1
9范道雨,林罡,牛斌,吴少兵.T形阳极太赫兹GaAs肖特基二极管的设计与制备[J].固体电子学研究与进展,2018,38(1):40-44. 被引量：2
10李洁,李晓康.并联谐振倍压变换器的原理分析及建模[J].通信电源技术,2018,35(1):21-23.

半导体信息

2018年第1期

浏览历史

内容加载中请稍等...