交期长达16周以上MOSFET再传涨价5%～10%

原文传递

导出

摘要 1月30日，台湾媒体报道称，金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）供不应求，在Vishay已通知涨价、IDM大厂也传出将跟进调涨价格，如今传已有业者再度调涨2月报价，其中PC类涨5％至10％，

出处《半导体信息》 2018年第1期32-33,共2页 Semiconductor Information

关键词 MOSFET 金属氧化物半导体供不应求晶体管

1Jiang Lu,Hainan Liu,Xiaowu Cai,Jiajun Luo,Bo Li,Binhong Li,Lixin Wang,Zhengsheng Han.Single-event burnout hardening of planar power MOSFET with partially widened trench source[J].Journal of Semiconductors,2018,39(3):44-49. 被引量：3
22017年IDM的成长率再次超越Fabless[J].中国电子商情,2018(1):8-8.
3两家中国企业跻身2017全球前十[J].中国电子商情,2018(1):8-8.
4刘松.脉冲漏极电流IDM及短路保护[J].今日电子,2018,0(Z1):21-23. 被引量：3
5孙学耕,张智群.Ga2O3功率器件研究现状和发展趋势[J].半导体技术,2018,43(4):241-249. 被引量：8
6邵伟华,冉立,曾正,李晓玲,胡博容,廖兴林,李辉.基于优化对称布局的多芯片SiC模块动态均流[J].中国电机工程学报,2018,38(6):1826-1836. 被引量：20
7胡飞,宋李梅,韩郑生.金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化[J].半导体技术,2018,43(4):274-279. 被引量：2
8陈霞明.不同原水中新型有机污染物的纳滤膜分离性能[J].泉州师范学院学报,2017,35(6):58-63. 被引量：3

半导体信息

2018年第1期

浏览历史

内容加载中请稍等...