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过渡金属氧化物异质结在多场调控下的新奇物性及器件研究
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摘要
半导体器件中的量子尺寸效应和散热等问题已成为制约微电子工业发展的瓶颈。氧化物异质结构界面诱导的一系列新奇物理现象为探索多场调控的多功能、低功耗、高密度集成的氧化物器件带来了新机遇。推动氧化物异质结从基础原理到器件应用的系统研究,对我国信息产业的源头创新和持续发展具有重要意义。
出处
《中国科技成果》
2018年第4期18-18,22,共2页
China Science and Technology Achievements
基金
国家重大科学研究计划(2014CB921000).
关键词
过渡金属氧化物
半导体器件
异质结构
调控
物性
量子尺寸效应
工业发展
物理现象
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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