基于0．15μmGaAs工艺6-18GHz宽带低功耗低噪声放大器

本文介绍了一种基于0.15μm GaAs pHEMT工艺的6–18GHz宽带低噪声单片放大器(LNA)。该双级放大器由两个共源晶体管级联构成,前级放大器主要实现最小噪声匹配,后级放大器主要实现功率增益匹配。基于自偏置技术和电流复用方法,该放大器在提高增益的同时大大降低了功耗。实测结果显示,在6-18GHz宽频带范围内,该放大器的增益优于21dB,输入输出驻波均小于2,带内的典型噪声系数为2dB,输出功率1dB压缩点大于13dBm,且直流功耗仅为215mW。芯片尺寸为1.97×1.35mm^2。因此,该芯片在兼顾低功耗的同时具有极佳的宽带低噪声性能和高线性度特性,具有广泛的市场应用前景。