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中国研发性能快100万倍存储芯片

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摘要复旦大学的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片，使用半导体结构研发的存储芯片在性能上更优秀。具体来说，与DRAM内存相比，它的数据刷新时间是前者的156倍，

出处《智能城市》 2018年第7期170-170,共1页 Intelligent City

关键词存储芯片研发性能中国半导体结构非易失性复旦大学 DRAM

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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