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纳米Bi_2O_3对ZnO压敏陶瓷性能的影响 被引量:2

Effect of Nano-Bi_2O_3 on Electrical Properties of ZnO Varistor Ceramics
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摘要 采用纳米Bi_2O_3添加入ZnO压敏陶瓷中,添加量分别是100%、60%、30%和0。利用纳米颗粒的高活性、比表面积大,熔融温度相对较低等特性,使实验样品致密度增加,在烧结过程中及早生成尖晶石晶相,该晶相成为晶粒内的"锚栓",有效提高ZnO压敏陶瓷的电位梯度和能量耐受能力。当纳米Bi_2O_3添加量从0增加至100%时,样品致密度增加,电位梯度从305 V/mm增加至385 V/mm,同时8/20μS的残压比下降,2 ms方波冲击电流从132 A增加至207 A。 The addition amount of nano Bi2O3 into ZnO varistor ceramics was 100%, 60%, 30% and 0, respectively. Using the high activity of nanoparticles, large specific area, relatively low mehing temperature can prevent migration of the interface, increase the grain boundary number of interfaces, promote homogenization and densification of the components, improve the alues of gradient voltage and the energy absorpotion capacity. When the addition of nano Bi2O3 increased from 0 to 100% , the values of gradient voltage increased from 305 V/mm to 385 V/mm, while 8/20μS residual voltage ratio decreased, 2 ms square-wave impulse current increased from 132 A to 207 A.
作者 梁烛 倪凯凯 代礼彬 王翔 LIANG Zhu;NI Kai-kai;DAI Li-bin;WANG Xiang(Guizhou Zhengye Engineering & Investment Co. , Ltd. , Guizhou Guiyang 550005, Chin)
出处 《广州化工》 CAS 2018年第8期49-50,85,共3页 GuangZhou Chemical Industry
关键词 纳米Bi2O3 ZNO压敏陶瓷 电性能 nano- Bi203 ZnO varistor ceramics electrical properties
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