高频大电流电抗器近场损耗分析

高频大电流电抗器要求磁路能够承受较大安匝电流而不饱和，在结构设计上往往需采用开放的空间磁路，这会对周围元件造成电磁耦合，带来额外的近场损耗和引发局部高温问题。论文详细分析了高频大电流电抗器的磁场分布特征，讨论近场磁场对周围金属支撑件带来的高频附加损耗影响，结合实际工程应用案例，进行理论分析与建模仿真，得出改善方案。