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我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破
被引量:
1
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摘要
近日,在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所),100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。SiC单晶是第三代半导体材料,以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性。
出处
《山东陶瓷》
CAS
2018年第3期36-36,共1页
Shandong Ceramics
关键词
第三代半导体材料
SIC单晶
设备生产
中国电子科技集团公司
粉料
高电子迁移率
生长设备
高速运行
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
O78 [理学—晶体学]
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山东陶瓷
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