摘要
美国Triad射频系统公司推出TTRM1200宽带氮化镓(GaN)射频和微波双向放大器(BDA)。该BDA工作在30MHz到2700MHz,输出功率超过8W,直流功耗24W,EVM小于9%,线性16QAM功率大于2瓦,能够工作在现有多个平台,直流输人电压1IV到28V;发射和接收间开关小于1毫秒,并可手动设置;外形尺寸是8.26×6.15×1.37立方厘米;带有模拟温度传感器,可监控基板温度。
出处
《半导体信息》
2018年第3期5-5,共1页
Semiconductor Information