基底温度对磁控溅射法制备TiN薄膜性能的影响

应用磁控溅射中的直流溅射于25℃、150℃、250℃、350℃、450℃下在P型硅(100)基底上生长Ti N薄膜,利用使用台阶仪、X射线衍射仪、原子力显微镜,分别测试不同基底温度下薄膜的电阻率、厚度、晶体结构、表面特征,结果表明随着温度的上升,表面均方粗糙度逐渐减小。且在350℃条件下,薄膜表面最光滑。从而证实了温度越高,薄膜的表面越优良。