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硅基封装限幅低噪声放大器电路技术研究

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摘要 本文介绍了一款X波段硅基异构多层封装电路,采用MEMS半导体工艺实现,集成了低噪声放大器、限幅器、均衡 器和电源调制等多种芯片.在8-12 GHz频带内,接收噪声≤1.5 dB,接收增益典型值为21dB ,耐功率达到10W ,体积为 8. 3 mm×4. 3 mm× 1.3 ram.该电路采用新颖的三维封装形式,具有覆盖频带宽、封装体积小、易使用等优点,可用于接收机前端, 简化用户装配,降低调试难度.
作者 厉志强 孙厚军 吴洪江
机构地区 中国电子科技集团公司第十三研究所 北京理工大学
出处 《今日自动化》 2018年第1期49-52,共4页 Automation Today
关键词 硅基 多芯片 小型化 3D
分类号 TN722.3 [电子电信—电路与系统]
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参考文献4

二级参考文献30

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共引文献86

今日自动化
2018年 第1期

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